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論文

Modelling of radiation response of p-Channel SiC MOSFETs

Lee, K. K.; 大島 武; 伊藤 久義

Materials Science Forum, 433-436, p.761 - 764, 2003/08

pチャンネル炭化ケイ素(SiC)金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の$$gamma$$線線量計への応用の可能性を調べた。SiC MOSFETは、n型エピ基板へ800$$^{circ}C$$でアルミニウム(Al)イオンを注入後、アルゴン(Ar)中で1800$$^{circ}C$$,1分間熱処理することでソース,ドレイン領域を形成し、1100$$^{circ}C$$での水素燃焼酸化によりゲート酸化膜を作製した。ソース,ドレインのAl電極は蒸着後にAr中で850$$^{circ}C$$,5分間熱処理することでオーミック化した。$$gamma$$線照射は室温で1MR/hの線量率で行った。照射によるしきい値電圧(V$$_{T}$$)の変化と線量(D)の関係を解析した結果、V$$_{T}$$の変化はK$$times$$D$$^{n}$$,K=-6.4,n=0.39で表せることを見出した。

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